RFIR 2016 · pregunta 231 (de reserva) · Instrumentación y electrónica
En un semiconductor intrínseco cuando aumenta la temperatura ocurre que hay:
- Exceso de huecos.
- El mismo número de electrones que de huecos.
- Exceso de electrones si es de tipo n.
- Exceso de huecos si es de tipo p.
RFIR 2016 · pregunta 232 (de reserva) · Instrumentación y electrónica
Un sistema digital tiene tres entradas (A, B, C) y una salida Z = ̅A̅̅B̅ + C . ¿Cuántos de los posibles estados de entrada corresponden a un `1´en la variable de salida?:
- 7.
- 5.
- 2.
- 1.
RFIR 2016 · pregunta 233 (de reserva) · Instrumentación y electrónica
Si un transistor MOSFET de canal n tiene un voltaje umbral de -2 V, quiere decir que es de tipo de:
- Enriquecimiento.
- Unión pn.
- Empobrecimiento.
- FET de unión (JFET).
RFIR 2016 · pregunta 234 (de reserva) · Instrumentación y electrónica
Dos convertidores analógico/digital con el mismo voltaje a escala completa y con números de bits N y 2×N, tienen como voltajes de resolución V_(LSB1) y V_(LSB2), respectivamente. ¿Qué relación entre sí guardan los valores de V_(LSB1) y V_(LSB2)?:
- V_(LSB1) = V_(LSB2)/2^N.
- V_(LSB1) = V_(LSB2)/N
- V_(LSB2) = V_(LSB1)/ (2×N).
- V_(LSB1) = 2^N×V_(LSB2).
RFIR 2016 · pregunta 235 (de reserva) · Instrumentación y electrónica
¿Qué tipo de señal en el tiempo tiene un espectro continuo en frecuencia?:
- Senoidal.
- Triangular.
- Un solo pulso.
- Cuadrada.
RFIR 2015 · pregunta 178 · Instrumentación y electrónica · ANULADA
A la temperatura ambiente, un semiconductor intrínseco tiene:
- Muchos huecos.
- Algunos electrones libres y ningún hueco.
- Algunos electrones libres y muchos huecos.
- Muchos electrones libres y ningún hueco.
- Ni huecos ni electrones libres.
La Comisión Calificadora la anuló: no tiene respuesta correcta.
RFIR 2015 · pregunta 188 · Instrumentación y electrónica
El fenómeno de ruptura Zener puede suceder en una unión PN cuando:
- La polarización directa es suficientemente elevada para provocar gran número de recombinaciones entre portadores.
- La polarización directa es suficientemente elevada para atravesar la barrera de potencial existente en la región de depleción.
- La polarización inversa es suficientemente elevada como para permitir la generación de portadores en la región de depleción.
- La polarización inversa y la concentración de donadores y aceptores a ambos lados de la unión es tal que el ancho de la misma se reduce hasta permitir el paso de portadores por efecto túnel.
- La polarización inversa es tal que permite generar nuevos portadores por colisiones con el cristal, en un fenómeno que crece en avalancha.
RFIR 2015 · pregunta 190 · Instrumentación y electrónica
En un material semiconductor intrínseco con una densidad de átomos de 5x10²² at/cm³ y a una temperatura tal que el número de huecos por cm³ es 5x10¹⁰, ¿cuánto es el número de electrones libres por cm³?:
- 10⁻¹²
- 10¹²
- 0
- 5x10¹⁰
- 25x10³²
RFIR 2015 · pregunta 191 · Instrumentación y electrónica
La probabilidad de ocupación de los niveles de energía por portadores en un semiconductor:
- Viene dada por la función de Fermi, representando la energía de Fermi (E_F) aquélla para la que la probabilidad de ocupación es del 50%.
- Es independiente de la temperatura del cristal.
- Viene dada por la función de Fermi, representando la Energía de Fermi (E_F) aquélla para la que la probabilidad de ocupación es nula.
- Para energías superiores a la Energía de Fermi (E> E_F+3kT), aumenta exponencialmente.
- La probabilidad de ocupación es constante a lo ancho del gap hasta que se aplique un campo eléctrico.
RFIR 2015 · pregunta 192 · Instrumentación y electrónica
Un transistor bipolar con sus dos uniones p-n directamente polarizadas opera en la zona de:
- Corte.
- Zener.
- Activa.
- Lineal.
- Saturación.
RFIR 2015 · pregunta 193 · Instrumentación y electrónica
Indique cual de las siguientes afirmaciones sobre el nivel de Fermi, E_F, de un semiconductor NO es correcta:
- Representa la energía para la cual la probabilidad de encontrar un electrón en ese nivel es 0.5.
- A temperaturas altas (rango extrínseco) el nivel de Fermi se encuentra muy cerca de la banda de conducción o de la banda de valencia.
- A T = 0 K todos los niveles por debajo de E_F están ocupados.
- La probabilidad de ocupación de niveles superiores a E_F es inferior a 0.5 para todas las temperaturas.
- Depende mucho de las características del semiconductor y de factores externos como la temperatura.
RFIR 2015 · pregunta 194 · Instrumentación y electrónica
En un cristal semiconductor y respecto a las propiedades de los portadores:
- Los electrones y los huecos tienen ambos masa idéntica.
- Los electrones y los huecos tienen ambos masa efectiva idéntica.
- La masa efectiva de los electrones es igual a la masa de los electrones y la de los huecos es nula.
- Electrones y huecos tienen valores de masa efectiva independiente del cristal semiconductor considerado.
- La masa efectiva de los electrones y huecos depende de la estructura cristalina del semiconductor.
RFIR 2015 · pregunta 195 · Instrumentación y electrónica
En su utilización como detectores de fotones, los cristales centelleadores se acoplan a detectores de luz que transforman los fotones visibles en señal. ¿Cuál de los siguientes NO se puede utilizar como detector de luz?:
- Fotodiodos convencionales (PD).
- Fotomultiplicadores de silicio (SiPM).
- Fotodiodos de avalancha (APD).
- Fotodetectores de trifluoruro de boro (PBF₃).
- Fotomultiplicadores (PM).
RFIR 2015 · pregunta 196 · Instrumentación y electrónica
Una memoria ROM:
- Se usa para almacenar datos de forma permanente.
- Pierde su información cuando se apaga su alimentación.
- Es reprogramable mediante luz ultravioleta.
- Se puede borrar mediante luz polarizada.
- No se puede construir con tecnología CMOS.
RFIR 2015 · pregunta 197 · Instrumentación y electrónica
Un circuito modulador:
- Tiene un comportamiento no lineal.
- Sólo se puede construir con transistores BJT.
- No existen comercialmente como circuitos integrados.
- Se emplea para variar la tensión de alimentación de un amplificador.
- Genera a su salida una frecuencia igual al producto de las de entrada.
RFIR 2015 · pregunta 198 · Instrumentación y electrónica
En un amplificador en emisor común la señal de alterna se acopla:
- Al colector y la de salida está en la base.
- Al emisor y la de salida está en la base.
- Al emisor y la de salida está en el colector.
- A la base y la salida está en el emisor.
- A la base y la de salida está en el colector.
RFIR 2015 · pregunta 200 · Instrumentación y electrónica
Un optoacoplador:
- Está formado por un fotodiodo a la entrada y un LED a la salida.
- Genera una tensión de salida igual a la tensión de alimentación más la tensión de salida en su resistencia interna.
- Combina un diodo LED y un fotodiodo en un mismo encapsulado.
- Amplifica la luz que le llega en su entrada.
- No tiene aislamiento galvánico.
RFIR 2015 · pregunta 201 · Instrumentación y electrónica
La figura de ruido en un amplificador:
- Se expresa en dB.
- No depende de la frecuencia de la señal de entrada.
- No depende de la resistencia de fuente.
- No depende de la corriente de colector.
- Puede tomar valores negativos.
RFIR 2015 · pregunta 202 · Instrumentación y electrónica
Para el funcionamiento de una puerta lógica inversora, la señal de RESET:
- Sólo es necesaria en tecnología Complementary Metal Oxide Semiconductor.
- Requiere de un tren de pulsos.
- Se suele conseguir con resistencias y condensadores.
- Requiere el uso imprescindible de un dispositivo semiconductor.
- Sólo es necesaria en tecnología Transistor Transistor Logic.
RFIR 2015 · pregunta 203 · Instrumentación y electrónica
Un display LED de 7 segmentos:
- Usa fotodiodos para mostrar los caracteres.
- No puede mostrar letras.
- Sólo puede mostrar números en base binaria.
- Puede mostrar números del 0 al 15 en base hexadecimal.
- No puede mostrar números de la base octal.
ℹ️ La materia la asignamos nosotros —el Ministerio publica los exámenes sin clasificar— y ahora mismo está puesta por un léxico automático que cubre el 63 % de las preguntas; el resto sale como «Sin clasificar». No están leídas una a una todavía.