Preguntas del RFIR 🔎

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• RFIR 2015 · pregunta 182 · Dosimetría y metrología

  Indica la respuesta correcta acerca de una cámara de ionización:

  1. En el caso de iones en un gas, la movilidad varía significativamente con el campo eléctrico.
  2. El tiempo en el que un ión recorre un detector de un centímetro es del orden de microsegundos.
  3. La velocidad de deriva de los iones aumenta con la presión del gas.
  4. En ciertos gases, existe un efecto de saturación en la velocidad de deriva de los electrones.
  5. La movilidad de los electrones es aproximadamente 1000 veces inferior a la de los iones.

• RFIR 2015 · pregunta 183 · Física de las radiaciones e interacción con la materia

  La pérdida de energía por unidad de distancia de una partícula cargada en un medio material es:

  1. Aproximadamente proporcional al cuadrado de la velocidad.
  2. Inversamente proporcional al cubo de la velocidad.
  3. Proporcional a la carga de la partícula.
  4. Inversamente proporcional al cuadrado de la carga de la partícula.
  5. Inversamente proporcional al cuadrado de la velocidad.

• RFIR 2015 · pregunta 184 · Electromagnetismo

  Muchos materiales no conductores se ionizan en campos eléctricos muy altos y se convierten en conductores. Este fenómeno se denomina:

  1. Efecto Hall.
  2. Efecto Stark.
  3. Ruptura dieléctrica.
  4. Superconductividad.
  5. Semiconducción.

• RFIR 2015 · pregunta 185 · Física cuántica y atómica

  Calcular la energía prohibida de superconducción del mercurio (Tc=4.2K) pronosticada por la teoría BCS:

  1. 5.43x10⁻⁴ eV
  2. 7.24x10⁻⁴ eV
  3. 1.09x10⁻³ eV
  4. 1.27x10⁻³ eV
  5. 1.63x10⁻³ eV

• RFIR 2015 · pregunta 186 · Física cuántica y atómica

  El que un cristal carezca de un centro de simetría:

  1. Es condición necesaria para que el cristal sea ferroeléctrico.
  2. Es condición suficiente para que el cristal sea ferromagnético.
  3. Es condición necesaria y suficiente para que el cristal sea ferroeléctrico.
  4. No tiene relación alguna con que el material pueda exhibir comportamiento ferroeléctrico.
  5. Implica que el cristal tiene un punto de fusión alto.

• RFIR 2015 · pregunta 187 · Dosimetría y metrología

  Un “calibrador de dosis” es un detector de geometría tipo pozo empleado en las radiofarmacias de las Unidades de Medicina Nuclear. Consideremos uno con diámetro de apertura 4 cm y una muestra puntual que se coloca a 10 cm de profundidad en el pozo. Su eficiencia geométrica de detección será:

  1. 0.96
  2. 0.01
  3. 0.99
  4. 0.49
  5. 0.90

• RFIR 2015 · pregunta 188 · Instrumentación y electrónica

  El fenómeno de ruptura Zener puede suceder en una unión PN cuando:

  1. La polarización directa es suficientemente elevada para provocar gran número de recombinaciones entre portadores.
  2. La polarización directa es suficientemente elevada para atravesar la barrera de potencial existente en la región de depleción.
  3. La polarización inversa es suficientemente elevada como para permitir la generación de portadores en la región de depleción.
  4. La polarización inversa y la concentración de donadores y aceptores a ambos lados de la unión es tal que el ancho de la misma se reduce hasta permitir el paso de portadores por efecto túnel.
  5. La polarización inversa es tal que permite generar nuevos portadores por colisiones con el cristal, en un fenómeno que crece en avalancha.

• RFIR 2015 · pregunta 190 · Instrumentación y electrónica

  En un material semiconductor intrínseco con una densidad de átomos de 5x10²² at/cm³ y a una temperatura tal que el número de huecos por cm³ es 5x10¹⁰, ¿cuánto es el número de electrones libres por cm³?:

  1. 10⁻¹²
  2. 10¹²
  3. 0
  4. 5x10¹⁰
  5. 25x10³²

• RFIR 2015 · pregunta 191 · Instrumentación y electrónica

  La probabilidad de ocupación de los niveles de energía por portadores en un semiconductor:

  1. Viene dada por la función de Fermi, representando la energía de Fermi (E_F) aquélla para la que la probabilidad de ocupación es del 50%.
  2. Es independiente de la temperatura del cristal.
  3. Viene dada por la función de Fermi, representando la Energía de Fermi (E_F) aquélla para la que la probabilidad de ocupación es nula.
  4. Para energías superiores a la Energía de Fermi (E> E_F+3kT), aumenta exponencialmente.
  5. La probabilidad de ocupación es constante a lo ancho del gap hasta que se aplique un campo eléctrico.

• RFIR 2015 · pregunta 192 · Instrumentación y electrónica

  Un transistor bipolar con sus dos uniones p-n directamente polarizadas opera en la zona de:

  1. Corte.
  2. Zener.
  3. Activa.
  4. Lineal.
  5. Saturación.

• RFIR 2015 · pregunta 193 · Instrumentación y electrónica

  Indique cual de las siguientes afirmaciones sobre el nivel de Fermi, E_F, de un semiconductor NO es correcta:

  1. Representa la energía para la cual la probabilidad de encontrar un electrón en ese nivel es 0.5.
  2. A temperaturas altas (rango extrínseco) el nivel de Fermi se encuentra muy cerca de la banda de conducción o de la banda de valencia.
  3. A T = 0 K todos los niveles por debajo de E_F están ocupados.
  4. La probabilidad de ocupación de niveles superiores a E_F es inferior a 0.5 para todas las temperaturas.
  5. Depende mucho de las características del semiconductor y de factores externos como la temperatura.

• RFIR 2015 · pregunta 194 · Instrumentación y electrónica

  En un cristal semiconductor y respecto a las propiedades de los portadores:

  1. Los electrones y los huecos tienen ambos masa idéntica.
  2. Los electrones y los huecos tienen ambos masa efectiva idéntica.
  3. La masa efectiva de los electrones es igual a la masa de los electrones y la de los huecos es nula.
  4. Electrones y huecos tienen valores de masa efectiva independiente del cristal semiconductor considerado.
  5. La masa efectiva de los electrones y huecos depende de la estructura cristalina del semiconductor.

• RFIR 2015 · pregunta 195 · Instrumentación y electrónica

  En su utilización como detectores de fotones, los cristales centelleadores se acoplan a detectores de luz que transforman los fotones visibles en señal. ¿Cuál de los siguientes NO se puede utilizar como detector de luz?:

  1. Fotodiodos convencionales (PD).
  2. Fotomultiplicadores de silicio (SiPM).
  3. Fotodiodos de avalancha (APD).
  4. Fotodetectores de trifluoruro de boro (PBF₃).
  5. Fotomultiplicadores (PM).

• RFIR 2015 · pregunta 196 · Instrumentación y electrónica

  Una memoria ROM:

  1. Se usa para almacenar datos de forma permanente.
  2. Pierde su información cuando se apaga su alimentación.
  3. Es reprogramable mediante luz ultravioleta.
  4. Se puede borrar mediante luz polarizada.
  5. No se puede construir con tecnología CMOS.

• RFIR 2015 · pregunta 197 · Instrumentación y electrónica

  Un circuito modulador:

  1. Tiene un comportamiento no lineal.
  2. Sólo se puede construir con transistores BJT.
  3. No existen comercialmente como circuitos integrados.
  4. Se emplea para variar la tensión de alimentación de un amplificador.
  5. Genera a su salida una frecuencia igual al producto de las de entrada.

• RFIR 2015 · pregunta 198 · Instrumentación y electrónica

  En un amplificador en emisor común la señal de alterna se acopla:

  1. Al colector y la de salida está en la base.
  2. Al emisor y la de salida está en la base.
  3. Al emisor y la de salida está en el colector.
  4. A la base y la salida está en el emisor.
  5. A la base y la de salida está en el colector.

• RFIR 2015 · pregunta 199 · Electromagnetismo

  La impedancia característica para líneas de transmisión sin pérdidas:

  1. Depende de la raíz cúbica de la resistencia.
  2. Depende de la raíz cúbica de la inductancia.
  3. Es puramente resistiva.
  4. Es puramente capacitiva.
  5. Es puramente inductiva.

• RFIR 2015 · pregunta 200 · Instrumentación y electrónica

  Un optoacoplador:

  1. Está formado por un fotodiodo a la entrada y un LED a la salida.
  2. Genera una tensión de salida igual a la tensión de alimentación más la tensión de salida en su resistencia interna.
  3. Combina un diodo LED y un fotodiodo en un mismo encapsulado.
  4. Amplifica la luz que le llega en su entrada.
  5. No tiene aislamiento galvánico.

• RFIR 2015 · pregunta 201 · Instrumentación y electrónica

  La figura de ruido en un amplificador:

  1. Se expresa en dB.
  2. No depende de la frecuencia de la señal de entrada.
  3. No depende de la resistencia de fuente.
  4. No depende de la corriente de colector.
  5. Puede tomar valores negativos.

• RFIR 2015 · pregunta 202 · Instrumentación y electrónica

  Para el funcionamiento de una puerta lógica inversora, la señal de RESET:

  1. Sólo es necesaria en tecnología Complementary Metal Oxide Semiconductor.
  2. Requiere de un tren de pulsos.
  3. Se suele conseguir con resistencias y condensadores.
  4. Requiere el uso imprescindible de un dispositivo semiconductor.
  5. Sólo es necesaria en tecnología Transistor Transistor Logic.

ℹ️ La materia la asignamos nosotros —el Ministerio publica los exámenes sin clasificar— y ahora mismo está puesta por un léxico automático que cubre el 63 % de las preguntas; el resto sale como «Sin clasificar». No están leídas una a una todavía.